IGBT作为电力电子器件的中央处理器，在电力电子变换器和控制中起着关键性的作用。尤其是在变频器（以下简称VFD）中，IGBT模块更为重要，但它却是VFD损坏较为频繁的元件之一。其中大部分的原因是在工控生产中，由于某些因素会有巨大的损失，热量无法散发，导致内部温度极高，产生气体并突破外壳，这就是所谓的IGBT爆炸。

IGBT爆炸原因分析[VFD配套设备]

1.爆炸的本质是加热功率超过冷却功率，内部原因应该是过热。

2.人为因素:

(1)进线连接到出线端子

(2)连接错误的电源

(3)未按要求连接负载

3.常见原因:

(1)过流:一是负载短路，二是控制电路处逻辑干扰，导致上下桥臂组件直接连接。

(2)绝缘损坏

(3)过电压:通常由线路杂散电感在极高di/dt作用下产生的峰值电压引起。解决方案是设计一个高性能的吸收环路，以降低线路的杂散电感。

(4)过热:IGBT不能完全打开，有电流时元器件损耗增加，温度升高，造成损坏。

(5)沟通错误率a.沟通一段时间后，突然出现错误信息导致IGBT误导、IGBT爆炸；b.通信板FPGA程序运行不稳定导致IGBT误导和IGBT爆炸

4.其他原因:

(1)电路中过流检测电路的响应时间跟不上。

(2)IGBT短路保护是检测饱和压降，留给执行器的时间一般为10us(8倍过流)。上电时很容易烧坏制动单元中的预充电电阻和IGBT。

(3)工艺问题:铜排紧固不牢，螺丝未拧紧。

(4)短时大电流:原因很多，比如死区设置不好，主电路过压，吸收电路做得不好。

(5)驱动电源也是一个需要特别注意的问题，即隔离加隔离，滤波加滤波。

(6)电机脉冲反馈电压过大导致IGBT爆炸。但是充电时爆炸的概率不大。

(7)电机启动时，输入电压瞬间下降，电容放电。输入电压恢复后，电容充电时浪涌电流过大，引起IGBT爆炸。

上述资料由三科变频器维修部整理编辑。