IGBT我们都知道是变频器的核心组件之一，它属于现今很多电气设备不可代替的核心组件之一，具备能源变换和传输的功能，那么它具备哪些优缺点呢。

IGBT优点

IGBT综合了电力MOSFET和GTR的优点，具有驱动简单，保护容易，不用缓冲电路，开关频率高等优点。它应用在变频器中，使变频器具有以下优点:输出电流波形大为改善，电动机的转矩增大;电磁噪声极小，获得“静音式”美称;增强了对常见故障(过流、过压瞬间断电等)的自处理能力,故障率大为减小,变频器自身的损耗也大为减少。

当前，世界上各大公司已把IGBT发展到第三代、第四代，IGBT器件早已完成集成化、模块化，模块的简化电路与GTR模块相似，其驱动电路也已完成模块化。其导通压降可在1.5~开2.0V范围，关断时间为0.2~0.3pus, 其额定电压和电流等级也在不断提高。在中小容量的变频器中1GBT已经取代了GTR，在多电平(如三电平)、高电压的变频器中也广泛使用。

IGBT缺点

1.因为IGBT工作时，其漏极区(P区)将向漂移区(N区)注入少数载流子一 空穴，则在漂移区中存储有少数载流子电荷;当IGBT关断(栅极电压降为0)时，这些存储的电荷不能立即去掉，从而IGBT的漏极电流也就相应地不能马上关断，即漏极电流波形有一个较长时间的拖尾关断时间较长(10~50ms)。所以IGBT的工作频率较低。为了缩短关断时间，可以采用电子辐照等方法来降低少数载流子的寿命，但是这将会引起正向压降增大等弊病。

2.IGBT 中存在有寄生晶闸管一MOS 柵控的N-PN -P*晶闸管结构，这就使得器件的最大工作电流要受到此寄生晶闸管闭锁效应的限制(采用阴极短路技术可以适当地减弱这种不良影响)。