我相信对众多的变频器厂家而言，IGBT这个电子元件一定不陌生，因为对变频器来说是十分关键的核心组件。因此，我们能否正确的了解IGBT特性与参数，对我们能否更好的生产变频器以及进行相关的调试工作的进行是十分重要的一环。

IGBT的主要参数有以下几个。

一、集电极-发射极饱和电压(UcE(sat))它是指IGBT正常饱和导通时，集电极-发射极之间的电压降。UcE(so) 越小，管子的功率损耗越小。

二、额定集电极电流(Ic)它是指IGBT导通时，允许流过管子的最大持续电流。

三、集电极发射极额定电压Uce它是指栅极发射极短路时，IGBT的耐压值。

四、开关频率IGBT的开关频率是由其导通时间ton、下降时间t{和关断时间toff来决定的。IGBT 的开关频率还与集电极电流Ic、运行温度和栅极电阻Rc有关。当Rc增大、运行温度升高时，开关时间增大，管子允许的开关频率有所降低。IGBT的实际工作频率比GTR高，一般可达30~40kHz。

五、栅极-发射极额定电压UcEsIGBT是由栅极发射极间电压信号Uce控制其导通和关断的，而Ues为该控制信号电压的额定值。IGBT 工作时，其控制信号电压不能超过Uas。目前，IGBT的Uces 大多为士20V左右。